pe膜上的晶點(diǎn)主要來(lái)自兩個(gè)方面：

由聚合過(guò)程引起的結(jié)晶點(diǎn)。不同的聚合設(shè)備和工藝對(duì)晶點(diǎn)的形成具有不同的影響。例如，一些著名的原料，由于生產(chǎn)工藝高，設(shè)備結(jié)構(gòu)好，聚合物中殘留催化劑含量低，因此，原料本身含有較少的晶體點(diǎn)。然而，由于生產(chǎn)技術(shù)和設(shè)備問(wèn)題，一些劣質(zhì)原料導(dǎo)致原料本身含有更多的晶體點(diǎn)。

由成膜過(guò)程引起的晶點(diǎn)。例如：流延薄膜?薄膜由流延薄膜設(shè)備制成，晶體點(diǎn)較少。由不良的制膜設(shè)備吹制的薄膜有許多晶點(diǎn)。

原因如下：

1 溫度控制準(zhǔn)確，可有效避免溫度過(guò)高引起的晶點(diǎn);

2 模具表面光滑，降低熔體保留;

3 模具、螺桿流道設(shè)計(jì)合理，熔體流動(dòng)順暢，不易形成死角;

4 模具流路很短，降低了晶點(diǎn)產(chǎn)生的可能性。